聯(lián)系金蒙新材料
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點[ 09-09 17:05 ]
- 碳化硅，氮化鎵有個很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實際上是反映了價電子被束縛強弱程度的一個物理量，也就是產(chǎn)
- 三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點[ 09-08 17:45 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產(chǎn)效率低，無法滿足工業(yè)需求；同時，固相法制備過程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應(yīng)得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進Lely法為主流。 Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內(nèi)置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會形成不同結(jié)構(gòu)，尺寸也
- 碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀(jì)60年代開始發(fā)展起來的一種先進陶瓷材料，由于具備化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學(xué)腐蝕等特性，在精細化工、半導(dǎo)體、冶金、國防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時容量不衰減，因此“超
