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聯(lián)系金蒙新材料
- 牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]
- 據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。 CMP多年來一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當(dāng)前滿足SiC需求增長十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會(huì)對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光
- 晶盛機(jī)電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]
- 8月12日消息，經(jīng)過晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個(gè)難點(diǎn)問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛
- 哈爾濱科友半導(dǎo)體6英寸碳化硅襯底正式投產(chǎn)[ 08-25 11:37 ]
- 據(jù)粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區(qū)，投資10億元建設(shè)的科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目一期正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。 據(jù)悉，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（科友半導(dǎo)體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計(jì)、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。去年7月，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、國際
- 士蘭微啟動(dòng)6吋（150mm）SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目[ 08-24 10:28 ]
- 據(jù)粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進(jìn)展公告，將啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司簽署了《關(guān)于化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設(shè)立了廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（士蘭明鎵），在廈門
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學(xué)性能要求。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達(dá)到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學(xué)部件性能要求。 采用反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基體結(jié)合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅(qū)體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應(yīng)氣體配比、氣體流場、溫度場等關(guān)鍵工藝參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大面積、均勻CVDSi
